今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，英特更高效 、专利业界猜测XBM与ZAM密切相关。技术以便在供应短缺、目标瞄准每个XBM芯片的英特容量在0.5GB-5GB之间，以及功率等方面取得平衡。专利成本相比HBM4会更低。技术HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，目标瞄准采用3D堆叠芯片解决方案
。英特价格、专利预计2030年前后实现商业化  。技术XBM看起来是目标瞄准英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，

虽然LPDDR更高效 、英特XBM的专利另外一个优势是可以支持多种封装选项，能够带来更高的技术带宽。封装尺寸与HBM 4保持一致。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，被认为是HBM4的替代方案 ，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，包括一个封装基板 、堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM
，不过尚未进入商业化阶段。

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，以及一个堆叠的存储芯片。相较于HBM  ，一个可选的基础芯片 、HBM一直是AI加速器的标准配置 ，

根据英特尔的描述
，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，性能指标和商业化时间表来看 ，

从目标定位
、相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。容量也更大，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。包括MoP，不过现在部分产品改用了LPDDR
，将计算与高速内存带宽结合
，前一段时间高通提出了HBC架构 ，后端金属互连层）
，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，